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参数资料
| 型号： | TN0200K-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 730MA SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 730mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TN0200K-T1-E3DKR |
New Product
TN0200K
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.0
200
175
0.8
150
0.6
125
100
C iss
0.4
V GS = 2.5 V
75
0.2
0.0
V GS = 4.5 V
50
25
0
C rss
C oss
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D – Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 0.6 A
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 0.6 A
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
5
Q g – Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.8
T J – Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
T J = 150 °C
0.7
0.6
0.5
I D = 0.6 A
0.1
0.4
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72678
S-71198–Rev. B, 18-Jun-07
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TN0200T | 功能描述:MOSFET 20V 1.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| TN0200TS | 功能描述:MOSFET 20V 1.2A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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