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参数资料
| 型号： | TSHA650 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ?5 mm (T-13/4) Package |
| 中文描述： | 红外发光二极管的GaAIAs在？5毫米（翻译- 13 / 4）包装 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | TSHA650 |
TSHA650.
Vishay Telefunken
3 (6)
Rev. 3, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81022
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
20
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
40
60
80
0
50
100
150
200
250
P
V
100
94 7957 e
R
thJA
Figure 1. Power Dissipation vs. Ambient Temperature
0
20
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
40
60
80
0
25
50
75
100
125
I
F
100
94 8002 e
Figure 2. Forward Current vs. Ambient Temperature
t
p
– Pulse Duration ( ms )
94 8003 e
10
0
10
1
10
1
10
–1
10
–1
10
0
10
2
10
–2
I
F
t
p
/T=0.01
I
FSM
= 2.5 A ( Single Pulse )
0.05
0.1
0.2
0.5
Figure 3. Pulse Forward Current vs. Pulse Duration
0
1
2
3
V
F
– Forward Voltage ( V )
4
94 8005 e
10
1
10
2
10
3
10
4
I
F
t
p
= 100 s
t
p
/T = 0.001
Figure 4. Forward Current vs. Forward Voltage
0
20
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
40
60
80
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
F
100
94 7990 e
I
F
= 10 mA
Figure 5. Relative Forward Voltage vs.
Ambient Temperature
I
F
– Forward Current ( mA )
94 8746
10
3
10
1
10
2
10
4
10
0
1
10
100
1000
I
e
TSHA 6500
TSHA 6501
TSHA 6502
TSHA 6503
Figure 6. Radiant Intensity vs. Forward Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSHF5210 | High Speed Infrared Emitting Diode in T-13/4 Package |
| TSHF5400 | High Speed IR Emitting Diode in ?5 mm (T-13/4) Package |
| TSHF5410 | High Speed Infrared Emitting Diode in T-1 3/4 Package |
| TSKS5400 | GaAs Infrared Emitting Diode in Side View Package |
| TSL0709RA | RF/Coaxial Connector; RF Coax Type:BNC; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TSHA6500 | 功能描述:红外发射源 5V 22mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| TSHA6500_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs |
| TSHA6501 | 功能描述:红外发射源 5V 23mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| TSHA6502 | 功能描述:红外发射源 5V 24mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| TSHA6503 | 功能描述:红外发射源 5V 25mW 875nm 24 deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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