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参数资料
| 型号： | TSHA650 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ?5 mm (T-13/4) Package |
| 中文描述： | 红外发光二极管的GaAIAs在？5毫米（翻译- 13 / 4）包装 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | TSHA650 |
TSHA650.
Vishay Telefunken
4 (6)
Rev. 3, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81022
–
e
I
F
– Forward Current ( mA )
94 8015 e
10
3
10
1
10
2
10
4
10
0
0.1
1
10
1000
100
Figure 7. Radiant Power vs. Forward Current
–10
10
50
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
e
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
140
94 8020 e
I
F
= 20 mA
Figure 8. Rel. Radiant Intensity\Power vs.
Ambient Temperature
780
880
– Wavelength ( nm )
980
94 8000 e
–
e
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
I
F
= 100 mA
e
( )
rel
=
e
( )/
e
(
p
)
Figure 9. Relative Radiant Power vs. Wavelength
0.4
0.2
0
0.2
0.4
I
e
0.6
94 8016 e
0.6
0.9
0.8
0
°
30
°
10
°
20
°
40
°
50
°
60
°
70
°
80
°
0.7
1.0
Figure 10. Relative Radiant Intensity vs.
Angular Displacement
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSHF5210 | High Speed Infrared Emitting Diode in T-13/4 Package |
| TSHF5400 | High Speed IR Emitting Diode in ?5 mm (T-13/4) Package |
| TSHF5410 | High Speed Infrared Emitting Diode in T-1 3/4 Package |
| TSKS5400 | GaAs Infrared Emitting Diode in Side View Package |
| TSL0709RA | RF/Coaxial Connector; RF Coax Type:BNC; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TSHA6500 | 功能描述:红外发射源 5V 22mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| TSHA6500_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs |
| TSHA6501 | 功能描述:红外发射源 5V 23mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| TSHA6502 | 功能描述:红外发射源 5V 24mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| TSHA6503 | 功能描述:红外发射源 5V 25mW 875nm 24 deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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