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参数资料
| 型号： | TT8J21TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TSST-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8J21DKR |
TT8J21
Pch -20V -2.5A Power MOSFET
l Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
- 20V
68m W
TSST8
(8)
(7)
(6)
(5)
I D
- 2.5A
(1)
(2)
l Features
P D
1.25W
l Inner circuit
(3)
(4)
1) Low on - resistance.
2) - 1.5V Drive.
3) Built-in G-S Protection Diode.
(1)
(2)
(3)
(4)
Tr1 Source
Tr1 Gate
Tr2 Source
Tr2 Gate
(5)
(6)
(7)
(8)
Tr2 Drain
Tr2 Drain
Tr1 Drain
Tr1 Drain
4) Small Surface Mount Package (TSST8).
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
* 1 ESD PROTECTION DIODE
* 2 BODY DIODE
l Packaging specifications
Packaging
Taping
l Application
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
8
3,000
TR
J21
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C) <It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
Symbol
V DSS
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
P D *3
P D *4
T j
T stg
Value
- 20
? 2.5
? 10
? 10
1.25
1.00
0.65
150
- 55 to + 150
Unit
V
A
A
V
W / total
W / element
W / total
°C
°C
2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT8J2TR | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8M2TR | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8J2TR | 功能描述:MOSFET SW MOSFET MIDDLE PWR P CH -30V-2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| TT8K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| TT8K11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Nch MOSFET |
| TT8K1TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| TT8K2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
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