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参数资料
| 型号： | TT8J21TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TSST-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8J21DKR |
TT8J21
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
100
192
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C) ,unless otherwise specified
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = - 1mA
Min.
- 20
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D = - 1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
-24
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = - 20V, V GS = 0V
V GS = ? 10V, V DS = 0V
V DS = - 10V, I D = - 1mA
I D = - 1mA
referenced to 25°C
-
-
- 0.3
-
-
-
-
2.5
- 1
? 10
- 1.0
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS = - 4.5V, I D = - 2.5A
V GS = - 2.5V, I D = - 1.2A
-
-
49
68
68
95
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *5 V GS = - 1.8V, I D = - 1.2A
V GS = - 1.5V, I D = - 0.5A
V GS = - 4.5V, I D = - 2.5A, T j =125°C
-
-
-
100
140
75
150
280
105
m W
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS = - 10V, I D = - 2.5A
-
2.5
12
5.5
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (20×20×0.8mm)
*5 Pulsed
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT8J2TR | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8M2TR | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8J2TR | 功能描述:MOSFET SW MOSFET MIDDLE PWR P CH -30V-2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| TT8K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| TT8K11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Nch MOSFET |
| TT8K1TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| TT8K2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
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