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参数资料
| 型号： | TT8J21TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TSST-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8J21DKR |
TT8J21
l Electrical characteristic curves
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
100
100
T a =25oC
Pulsed
V GS = - 1.5V
V GS = - 1.8V
V GS = - 2.5V
V GS = - 4.5V
90
80
70
60
50
.
40
30
20
10
V GS = - 4.5V
I D = - 2.5A
Pulsed
10
0.1
1
10
0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
Drain Current : -I D [A]
Junction Temperature : T j [oC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT8J2TR | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8M2TR | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8J2TR | 功能描述:MOSFET SW MOSFET MIDDLE PWR P CH -30V-2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| TT8K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| TT8K11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Nch MOSFET |
| TT8K1TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| TT8K2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
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