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参数资料
| 型号： | TT8U1TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8U1DKR |
TT8U1
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 100
Unit
nA
Conditions
V GS =± 10V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 0.3
?
?
?
?
2.4
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
80
105
150
180
?
850
60
50
9
25
55
45
6.7
1.7
0.6
? 1
? 1.0
105
140
225
360
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 20V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 2.4A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.2A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 1.2A, V GS = ? 1.8V
I D = ? 0.5A, V GS = ? 1.5V
V DS = ? 10V, I D = ? 2.4A
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
V DD ? 10V
V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.2A
R L 8.3 ?
R G = 10 ?
V DD ? 10V
V GS = ? 4.5V
I D = ? 2.4A
R L 4.2 ? / R G = 10 ?
? Pulsed
<MOSFET> Body diode (source-drain)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 2.4A, V GS = 0V
? Pulsed
<Di>
Parameter
Forward voltage drop
Reverse leakage
Symbol
V F
I R
Min.
?
?
Typ.
0.37
?
Max.
0.41
500
Unit
V
μ A
I F = 1.0A
V R = 20V
Conditions
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
| U5151-000005-030PA | SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2' |
| UB01KW035C-CC | INDICATOR SQ RED ILLUM RED CAP |
| UB201KW036G-3JB | INDICATOR PB BLU ILL SQ FLAT CAP |
| UM5K1NTR | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8U2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch +SBD MOSFET |
| TT8U2_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch +SBD MOSFET |
| TT8U2FU7TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET 1.5V DRIVE PCH+SBD |
| TT8U2TCR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET P-CH & SBD, 20V 2.4A 8-PIN TSST T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH +SBD TSST8 |
| TT8U2TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET+SBD TT8U2 SST8 |
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