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参数资料
| 型号： | TT8U1TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8U1DKR |
TT8U1
Electrical characteristics curves
Data Sheet
5
4
3
Ta=25°C
Pulsed
V GS = -10V
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
V GS = -1.8V
5
4
3
V GS = -10V
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
V GS = -1.8V
10
1
0.1
V DS = -10V
Pulsed
Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C
2
V GS = -1.5V
2
0.01
1
0
V GS = -1.4V
1
0
V GS = -1.5V
V GS = -1.4V
Ta=25°C
Pulsed
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.1 Typical output characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.2 Typical output characteristics( Ⅱ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
1000
Ta=25°C
Pulsed
1000
V GS = -4.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
1000
V GS = -2.5V
Pulsed
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
10
V GS = -1.5V
V GS = -1.8V
V GS = -2.5V
V GS = -4.5V
100
10
100
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
0.1
1
10
0.1
1
10
0.1
1
10
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
1000
V GS = -1.8V
1000
V GS = -1.5V
10
V DS = -10V
Pulsed
Pulsed
Pulsed
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
10
10
0.1
0.1
1
10
0.1
1
10
0.1
1
10
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ )
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅴ )
3/5
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.9 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
2009.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
| U5151-000005-030PA | SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2' |
| UB01KW035C-CC | INDICATOR SQ RED ILLUM RED CAP |
| UB201KW036G-3JB | INDICATOR PB BLU ILL SQ FLAT CAP |
| UM5K1NTR | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8U2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch +SBD MOSFET |
| TT8U2_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch +SBD MOSFET |
| TT8U2FU7TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET 1.5V DRIVE PCH+SBD |
| TT8U2TCR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET P-CH & SBD, 20V 2.4A 8-PIN TSST T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH +SBD TSST8 |
| TT8U2TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET+SBD TT8U2 SST8 |
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