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参数资料
| 型号： | TT8U1TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8U1DKR |
TT8U1
Data Sheet
10
1
V GS =0V
Pulsed
250
200
Ta=25°C
Pulsed
10000
1000
t f
t d (off)
Ta=25°C
V DD = -10V
V GS = -4.5V
R G =10 Ω
Pulsed
150
Ta=125°C
Ta=75°C
100
I D = -2.4A
100
0.1
Ta=25°C
Ta=-25°C
50
I D = -1.2A
10
t r
t d (on)
0.01
0
0.5
1
1.5
0
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
10
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.10 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.11 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.12 Switching Characteristics
5
4
3
10000
1000
Ciss
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
100
10
1
pulsed
Ta = 125 ℃
Ta = 75 ℃
Coss
0.1
2
Ta=25°C
V DD = -10V
100
0.01
Ta = 25 ℃
1
0
I D = -2.4A
R G =10 ?
Pulsed
10
Crss
0.001
Ta= - 25 ℃
0
2
4
6
8
0.01
0.1
1
10
100
0.0001
0
10
20
30
40
10000
1000
100
10
1
0.1
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.13 Dynamic Input Characteristics
pulsed
Ta = 125 ℃
Ta = 75 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= - 25 ℃
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
REVERSE VOLTAGE : V R [V]
Fig.15 Reverse Current vs. Reverse Voltage
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
FORWARD VOLTAGE : V F [V]
Fig.16 Forward Current vs. Forward Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
| U5151-000005-030PA | SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2' |
| UB01KW035C-CC | INDICATOR SQ RED ILLUM RED CAP |
| UB201KW036G-3JB | INDICATOR PB BLU ILL SQ FLAT CAP |
| UM5K1NTR | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8U2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch +SBD MOSFET |
| TT8U2_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch +SBD MOSFET |
| TT8U2FU7TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET 1.5V DRIVE PCH+SBD |
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| TT8U2TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET+SBD TT8U2 SST8 |
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