型号: | UPA2718GR-A |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | POWER, SOP-8 |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 138K |
代理商: | UPA2718GR-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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UPA2719GR-A | 10 A, 30 V, 0.0255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
UPC1042C | 0.1 A SWITCHING CONTROLLER, 100 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDIP16 |
UPD31172F1-48-FN | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA208 |
UPD703111GM-10-UEU | 32-BIT, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176 |
UPD703111GM-15-UEU | 32-BIT, 150 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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UPA2719AGR-E1-AT | 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
UPA2719AGR-E2-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
UPA2719GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
UPA2719GR-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
UPA2720AGR-E1-AT | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |