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参数资料
| 型号： | UPA2718GR-A |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | POWER, SOP-8 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | UPA2718GR-A |
Data Sheet G16952EJ1V0DS
3
PA2718GR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
dT
-
Pe
rcentage
of
Rated
Powe
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125 150
175
TA - Ambient Temperature -
°C
P
T-
Total
Powe
r
Dissipation
-
W
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounted on ceramic
substrate of
1200 mm
2 x 2.2 mm
TA - Ambient Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
ID(pulse)
10 ms
Power Dissipation Limited
ID(DC)
PW = 100
s
1 ms
DC
RDS(on)Limited
(at VGS =
10 V)
100ms
TA = 25°C
Single pulse
Mounted on ceramic substrate of
1200 mm
2 x 2.2 mm
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th(c
h-A)
-
Transient
Thermal
Resista
nce
-
°C/W
0.1
1
10
100
1000
Single pulse, TA = 25°C
Rth(ch-A)1 : Mounted on ceramic substrate of 1200 mm2 x 2.2 mm
Rth(ch-A)2 : Mounted on glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm
Rth(ch-A)2
Rth(ch-A)1
PW - Pulse Width - s
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2719GR-A | 10 A, 30 V, 0.0255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| UPC1042C | 0.1 A SWITCHING CONTROLLER, 100 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDIP16 |
| UPD31172F1-48-FN | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA208 |
| UPD703111GM-10-UEU | 32-BIT, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176 |
| UPD703111GM-15-UEU | 32-BIT, 150 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2719AGR-E1-AT | 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2719AGR-E2-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2719GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2719GR-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2720AGR-E1-AT | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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