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参数资料
| 型号： | UPA2718GR-A |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | POWER, SOP-8 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | UPA2718GR-A |
Data Sheet G16952EJ1V0DS
6
PA2718GR
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
I
AS
-Single
Avalanche
Current
-A
-0.1
-1
-10
-100
EAS = 16.9 mJ
IAS =
13 A
VDD =
15 V
VGS =
20 → 0 V
RG = 25
Starting Tch = 25°C
L - Inductive Load - H
Energy
Derating
Factor
-
%
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
VDD =
15 V
RG = 25
VGS =
20 → 0 V
IAS
≤ 13 A
Starting Tch - Starting Channel Temperature - °C
10 m
100 m
1
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2719GR-A | 10 A, 30 V, 0.0255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| UPC1042C | 0.1 A SWITCHING CONTROLLER, 100 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDIP16 |
| UPD31172F1-48-FN | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA208 |
| UPD703111GM-10-UEU | 32-BIT, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176 |
| UPD703111GM-15-UEU | 32-BIT, 150 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2719AGR-E1-AT | 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2719AGR-E2-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2719GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2719GR-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2720AGR-E1-AT | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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