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参数资料
| 型号： | UPA2718GR-A |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | POWER, SOP-8 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | UPA2718GR-A |
Data Sheet G16952EJ1V0DS
4
PA2718GR
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0
-25
-50
-75
-100
-125
-150
0
-0.5
-1
-1.5
-2
Pulsed
VGS =
10 V
4 V
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
0
-1-2
-3-4
-5
VDS =
10 V
Pulsed
TA = 150°C
75°C
25°C
40°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
S
(off)
-
Gate
C
ut
-off
Voltage
-
V
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-50
0
50
100
150
VDS =
10 V
ID =
1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|
y
fs
|-
Forward
T
ransfer
Admittan
ce
-
S
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
VDS = 10 V
Pulsed
TA = 150°C
75°C
25°C
40°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
10
20
30
40
-1
-10
-100
-1000
Pulsed
VGS = 10 V
4.5 V
4 V
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
10
20
30
40
0
-5
-10
-15
-20
Pulsed
ID =
6.5 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2719GR-A | 10 A, 30 V, 0.0255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| UPC1042C | 0.1 A SWITCHING CONTROLLER, 100 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDIP16 |
| UPD31172F1-48-FN | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA208 |
| UPD703111GM-10-UEU | 32-BIT, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176 |
| UPD703111GM-15-UEU | 32-BIT, 150 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2719AGR-E1-AT | 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2719AGR-E2-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2719GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2719GR-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2720AGR-E1-AT | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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