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参数资料
| 型号： | UPA2755AGR-E2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 4A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2755AGR
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
120
100
2.8
2.4
Mounted on ceramic
substrate of
2000 mm 2 × 2.2 mm
80
60
2.0
1.6
1.2
2 units
1 unit
40
20
0.8
0.4
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
100
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I D( pulse)
PW = 100 μ s
T A - Ambient Temperature - ° C
10
I D( DC)
R DS( on ) Limited
1
0.1
(at V GS = 10 V)
Power Dissipation Limit ed
M ount ed on ceramic subst rate of
2000 mm 2 x 2.2mm, 1 unit
T A = 25°C
1 ms
10 ms
100 m s
DC
Single pulse
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
Mounted on ceramic substrate of 2000 mm x 2.2 mm
100
10
1
2
R th(ch-A) = 73.5°C/W
Single pulse, 1 unit
T A = 25°C
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet G19282EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2756GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2755GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2755GR-A1-E2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2755GR-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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