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参数资料
| 型号： | UPA2755AGR-E2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 4A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2755AGR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
35
I D = 4.0 A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
V GS = 0 V
30
25
20
15
Pulsed
V GS = 4.5 V
10 V
1000
f = 1 MHz
C iss
10
5
100
C oss
C rss
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
10
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = 15 V
V GS = 10 V
R G = 10 Ω
30
25
I D = 8.0 A
15
100
t d(off)
20
15
V DD = 24 V
15 V
6V
10
t r
10
t d(on)
10
5
t f
5
V DS
V GS
1
0
0
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
10
4.5 V
0V
100
1
10
0.1
0.01
0
0.5
1
Pulsed
1.5
1
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet G19282EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2756GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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