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参数资料
| 型号： | UPA2755AGR-E2-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 4A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2755AGR
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
100
R G = 25 Ω
V DD = 15 V
V GS = 20 0 V
Starting T ch = 25 ?C
120
100
R G = 25 Ω
V DD = 15 V
V GS = 20 0 V
I AS 8A
80
10
I AS = 8 A
E AS = 6.4 mJ
60
40
20
1
10 μ
100 μ
1m
100 m
0
25
50
75
100
125
150
L - Inductive Load - H
ORDERING INFORMATION
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ° C
PART NUMBER
LEAD PLATING
PACKING
PACKAGE
μ PA2755AGR-E1-AT
μ PA2755AGR-E2-AT
Note
Note
Pure Sn (Tin)
Tape 2500 p/reel
Power SOP8
0.08 g TYP.
Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode and other parts.)
6
Data Sheet G19282EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2756GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC |
| UPA2757GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| UPA2790GR-E2-AT | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| UPA2791GR-E2-AT | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| UPA602T-T1-A | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2755GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2755GR-A1-E2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2755GR-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2755GR-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2756GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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