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参数资料
| 型号： | UPA679TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA，250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA679TB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1) N-ch PART (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
SYMBOL
I DSS
I GSS
TEST CONDITIONS
V DS = 20.0 V, V GS = 0 V
V GS = ± 12.0 V, V DS = 0 V
MIN.
TYP.
MAX.
1.0
± 10
UNIT
μ A
μ A
Gate Cut-off Voltage
Note
V GS(off)
V DS = 10.0 V, I D = 1.0 mA
0.50
1.00
1.50
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = 10.0 V, I D = 0.30 A
0.25
0.75
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
R DS(on)3
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 4.5 V, I D = 0.30 A
V GS = 4.0 V, I D = 0.30 A
V GS = 2.5 V, I D = 0.15 A
V DS = 10.0 V
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
V DD = 10.0 V, I D = 0.30 A
V GS = 4.0 V
R G = 10 ?
0.38
0.41
0.60
28
11
7
20
51
94
0.57
0.60
0.88
?
?
?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
87
ns
Body Diode Forward Voltage
V F(S-D)
I F = 0.35 A, V GS = 0 V
0.84
V
Note Pulsed: PW ≤ 350 μ s, Duty cycle ≤ 2%
TEST CIRCUIT
SWITCHING TIME
D.U.T.
PG.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V DS
90%
90%
V GS
V DS
0
V DS
0
10%
10%
τ
Wave Form
t d(on)
t r
t d(off)
t f
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
2
Data Sheet G16615EJ1V0DS
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