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参数资料
| 型号： | UPA679TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA，250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA679TB
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1.2
1
Pulsed
1.2
1
I D = 0.30 A
Pulsed
V GS = 2.5 V, I D = 0.15 A
0.8
0.6
0.4
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V GS = 4.0 V, I D = 0.30 A
V GS = 4.5 V, I D = 0.30 A
0.2
0
- 50
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
12
T ch - Channel Temperature - °C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1.2
1
0.8
0.6
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 4.5 V
Pulsed
1.2
1
0.8
0.6
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 4.0 V
Pulsed
0.4
0.2
0
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE
VOLTAGE
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 2.5 V
Pulsed
100
10
1
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16615EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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