参数资料
型号: UPA679TB-T2-A
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC-70
标准包装: 3,000
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 350mA,250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 570 毫欧 @ 300mA,4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 28pF @ 10V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-88
包装: 带卷 (TR)
μ PA679TB
SWITCHING CHARACTERISTICS
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
V DD = 10.0 V
V GS = 4.0 V
R G = 10 ?
10
1
V GS = 0 V
Pulsed
t d(off)
100
10
t r
t f
t d(on)
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
6
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16615EJ1V0DS
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
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PDF描述
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