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参数资料
| 型号： | UPA679TB-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA，250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA679TB
(2) P-ch PART (T A = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
2500 m m x 1.1 m m
120
100
80
60
40
20
0
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
Mounted on FR-4 board of
2
2 units total
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T A - Ambient Temperature - ° C
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
-1
- 0.8
- 0.6
- 0.4
- 0.2
0
Pulsed
V G S = ? 4.5 V
? 4.0 V
? 2.5 V
-10
-1
-0.1
-0.01
-0.001
-0.0001
V D S = ? 10.0 V
Pulsed
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0
- 0.4
- 0.8
- 1.2
- 1.6
-2
0
-1
-2
-3
-4
- 1.6
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs. CHANNEL
TEMPERATURE
10
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
- 1.4
- 1.2
V D S = ? 10.0 V
I D = ? 1.0 m A
1
T A = ? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
V DS = ? 10.0 V
Pulsed
125 ° C
-1
0.1
- 0.8
- 0.6
0.01
-50
0
50
100
150
- 0.001
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G16615EJ1V0DS
I D - Drain Current - A
7
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