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参数资料
| 型号： | UPD44646183AF5-E22-FQ1 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 28/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量： | 72M（4M x 18） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
Scan Register Definition (1)
Register name
Instruction register
Bypass register
ID register
Boundary register
Description
The instruction register holds the instructions that are executed by the TAP controller when it is
moved into the run-test/idle or the various data register state. The register can be loaded when it is
placed between the TDI and TDO pins. The instruction register is automatically preloaded with the
IDCODE instruction at power-up whenever the controller is placed in test-logic-reset state.
The bypass register is a single bit register that can be placed between TDI and TDO. It allows serial
test data to be passed through the RAMs TAP to another device in the scan chain with as little delay
as possible.
The ID Register is a 32 bit register that is loaded with a device and vendor specific 32 bit code when
the controller is put in capture-DR state with the IDCODE command loaded in the instruction register.
The register is then placed between the TDI and TDO pins when the controller is moved into shift-DR
state.
The boundary register, under the control of the TAP controller, is loaded with the contents of the
RAMs I/O ring when the controller is in capture-DR state and then is placed between the TDI and
TDO pins when the controller is moved to shift-DR state. Several TAP instructions can be used to
activate the boundary register.
The Scan Exit Order tables describe which device bump connects to each boundary register
location. The first column defines the bit’s position in the boundary register. The second column is
the name of the input or I/O at the bump and the third column is the bump number.
Scan Register Definition (2)
Register name
Instruction register
Bypass register
ID register
Boundary register
Bit size
3
1
32
109
Unit
bit
bit
bit
bit
ID Register Definition
2.0 Clock Cycles Read Latency
Part number
Organization
ID [31:28] vendor revision no.
ID [27:12] part no.
ID [11:1] vendor ID no. ID [0] fix bit
μ PD44646092A-A
μ PD44646182A-A
μ PD44646362A-A
8M x 9
4M x 18
2M x 36
XXXX
XXXX
XXXX
0000 0000 1000 1100
0000 0000 1000 1101
0000 0000 1000 1110
00000010000
00000010000
00000010000
1
1
1
2.5 Clock Cycles Read Latency
Part number
Organization
ID [31:28] vendor revision no.
ID [27:12] part no.
ID [11:1] vendor ID no. ID [0] fix bit
μ PD44646093A-A
μ PD44646183A-A
μ PD44646363A-A
8M x 9
4M x 18
2M x 36
XXXX
XXXX
XXXX
0000 0000 1001 1000
0000 0000 1001 1001
0000 0000 1001 1010
00000010000
00000010000
00000010000
1
1
1
26
Data Sheet M19960EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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| UPD44646183AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646183AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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