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参数资料
| 型号： | UPD44646183AF5-E22-FQ1 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量： | 72M（4M x 18） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)
(Top View)
[ μ PD44646362A-A], [ μ PD44646363A-A]
2M x 36
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ#
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DLL#
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
NC/144M
DQ27
NC
DQ29
NC
DQ30
DQ31
V REF
NC
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
A
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
V DD Q
DQ32
DQ23
DQ24
DQ34
DQ25
DQ26
A
R, W#
A
V SS
V SS
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V SS
V SS
A
A
BW2#
BW3#
A
V SS
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
V SS
A
A
A
K#
K
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
A
QVLD
ODT
BW1#
BW0#
A
V SS
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
V SS
A
A
A
LD#
A
V SS
V SS
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V SS
V SS
A
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V DD Q
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
NC
DQ17
NC
DQ15
NC
NC
V REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
NC
DQ9
TMS
CQ
DQ8
DQ7
DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ10
DQ0
TDI
A
DQ0 to DQ35
LD#
R, W#
BW0# to BW3#
K, K#
CQ, CQ#
ZQ
DLL#
QVLD
ODT
: Address inputs
: Data inputs / outputs
: Synchronous load
: Read Write input
: Byte Write data select
: Input clock
: Echo clock
: Output impedance matching
: DLL/PLL disable
: Q Valid output
: ODT Control Input
TMS
TDI
TCK
TDO
V REF
V DD
V DD Q
V SS
NC
NC/xxM
: IEEE 1149.1 Test input
: IEEE 1149.1 Test input
: IEEE 1149.1 Clock input
: IEEE 1149.1 Test output
: HSTL input reference input
: Power Supply
: Power Supply
: Ground
: No connection
: Expansion address for xxMb
Remarks 1. ××× # indicates active LOW signal.
2. Refer to Package Drawing for the index mark.
3. 2A is expansion address for 144Mb.
6
Data Sheet M19960EJ2V0DS
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