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参数资料
| 型号： | UPD44646183AF5-E22-FQ1 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 32/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量： | 72M（4M x 18） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
Boundary Scan Register Status of Output Pins CQ, CQ#, QVLD and DQ
Instructions
SRAM Status
Boundary Scan Register Status
CQ, CQ#, QVLD
DQ
Note
EXTEST
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
Pad
Pad
Pad
Pad
IDCODE
SAMPLE-Z
SAMPLE
BYPASS
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
?
?
Pad
Pad
Internal
Internal
?
?
?
?
Pad
Pad
Internal
Pad
?
?
No definition
No definition
Remark
The Boundary Scan Register statuses during execution each
instruction vary according to the instruction code and SRAM
operation mode.
There are two statuses:
Boundary Scan
Register
CAPTURE
Register
Internal
Pad
: Contents of the output pin (DDR Pad) are
Pad
Update
Register
SRAM
Output
captured in the “CAPTURE Register” in the
Boundary Scan Register.
Internal : Contents of the SRAM internal output “SRAM
Output” are captured in the “CAPTURE Register”
in the Boundary Scan Register.
DDR
Pad
SRAM
Output
Driver
High-Z
JTAG ctrl
30
Data Sheet M19960EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T3589S133BC | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA |
| RMC60DTEH | CONN EDGECARD 120PS .100 EYELET |
| IDT70T3399S133BC | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA |
| FMM43DREF | CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET |
| IDT70V657S10DRG | IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208PQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD44646183AF5-E22-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646183AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646183AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E22-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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