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参数资料
| 型号： | US6M11TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V，12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A，1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
US6M11
Electrical characteristic curves
<Nch>
Data Sheet
1.5
V GS = 10V
V GS = 4.5V
Ta=25°C
Pulsed
1.5
V GS = 4.5V
V GS = 1.8V
Ta=25°C
Pulsed
10
V DS = 10V
Pulsed
V GS = 2.5V
V GS = 1.5V
1
Ta= 125°C
1
1
Ta= 75°C
V GS = 1.8V
V GS = 1.5V
0.1
Ta= 25°C
Ta= - 25°C
0.5
V GS = 1.3V
0.5
V GS = 1.3V
0.01
V GS = 1.1V
V GS = 1.2V
0
0
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
10000
Ta= 25°C
10000
V GS = 4.5V
10000
V GS = 2.5V
1000
Pulsed
V GS = 1.5V
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
1000
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
1000
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
10
100
10
100
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
10000
V GS = 1.8V
10000
V GS = 1.5V
10
V DS = 10V
1000
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
1000
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
Pulsed
1
Ta= -25°C
100
10
100
10
0.1
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ )
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅴ )
3/7
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.9 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US6M1TR | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 |
| US6U37TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| USP3021RA | THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE |
| USP3986RC | THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE |
| USUG1000-103GRB | THERMISTOR NTC 10K 2% DO-35 UL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US6M1TR | 功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US6M2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Pch(20V,1A)Nch(30V,1.5A),TUMT6 |
| US6M2_07 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
| US6M2TR | 功能描述:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US6T4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier |
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