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参数资料
| 型号： | US6M11TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V，12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A，1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
US6M11
Data Sheet
10
V GS =0V
600
Ta=25°C
1000
Ta=25°C
1
Pulsed
500
400
I D = 0.8A
I D = 1.5A
Pulsed
100
t d (off)
t f
V DD = 10V
V GS =4.5V
R G =10 ?
Pulsed
300
Ta=125°C
0.1
Ta=75°C
200
10
t d (on)
Ta=25°C
Ta=-25°C
100
t r
0.01
0
1
0
0.5
1
1.5
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD [V]
Fig.10 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
Fig.11 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.12 Switching Characteristics
5
1000
Ta=25°C
f=1MHz
4
3
2
Ta=25°C
100
V GS =0V
Ciss
Coss
1
0
V DD = 10V
I D = 1.5A
R G =10 ?
Pulsed
10
Crss
0
0.5
1
1.5
2
0.01
0.1
1
10
100
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.13 Dynamic Input Characteristics
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US6M1TR | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 |
| US6U37TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| USP3021RA | THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE |
| USP3986RC | THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE |
| USUG1000-103GRB | THERMISTOR NTC 10K 2% DO-35 UL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US6M1TR | 功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US6M2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Pch(20V,1A)Nch(30V,1.5A),TUMT6 |
| US6M2_07 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
| US6M2TR | 功能描述:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US6T4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier |
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