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参数资料
| 型号： | US6M11TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V，12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A，1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
US6M11
Measurement circuit
<Nch>
Data Sheet
V GS
I D
V DS
Pulse Width
R G
D.U.T.
R L
V DD
V GS
V DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t r
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
V G
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G (Const.)
R G
D.U.T.
V DD
Q gs
Q gd
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
<Pch>
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
V GS
I D
V DS
V GS
10%
Pulse Width
D.U.T.
R L
50%
10%
90%
50%
10%
R G
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t r
t on
t off
Fig.3-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.3-2 Switching Waveforms
I G(Const.)
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V G
V GS
Q gs
Q g
Q gd
V DD
Charge
Fig.4-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.4-2 Gate Charge Waveform
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US6M1TR | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 |
| US6U37TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| USP3021RA | THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE |
| USP3986RC | THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE |
| USUG1000-103GRB | THERMISTOR NTC 10K 2% DO-35 UL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US6M1TR | 功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US6M2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Pch(20V,1A)Nch(30V,1.5A),TUMT6 |
| US6M2_07 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
| US6M2TR | 功能描述:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US6T4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier |
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