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参数资料
| 型号： | V58C2256324SAH-36 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.55 ns, PBGA144 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, BGA-144 |
| 文件页数： | 9/37页 |
| 文件大小： | 370K |
| 代理商： | V58C2256324SAH-36 |
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V58C2256324SA Rev. 1.4 August 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256324SA
Burst Write Operation (WRITE)
The Burst Write is initiated by issuing a WRITE command at the rising edge of the clock. The address inputs (A9, A7.. A0) determine
starting column address. Data for the first burst write cycle must be applied on the DQ pins on the first rising edge of DQSx following the
WRITE command. The time between the WRITE command and the first corresponding edge of the data strobe is tDQSS. The remaining
data inputs must be supplied on each subsequent rising and falling edge of the data strobe until the burst length is completed. When the
burst has been finished, any additional data supplied to the DQ pins will be ignored.
Burst Write Operation
CLK
WRITE
DQSx
DQx
Data-in
0
t
DQSS
t
WPREH
t
WPRES
t
WPST
Burst length = 4
NOP
Data-in
1
Data-in
2
Data-in
3
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