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参数资料
| 型号： | V85C2256164SAS8 |
| 厂商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA60 |
| 封装： | 0.80 X 1 MM PITCH, SOC, BGA-60 |
| 文件页数： | 31/61页 |
| 文件大小： | 814K |
| 代理商： | V85C2256164SAS8 |
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37
MOSEL VITELIC
V58C2256(804/404/164)S
V58C2256(804/404/164)S Rev. 1.4 October 2002
Data-out high-impedance window from
CK/CK
tHZ
-0.7
+0.7
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
-0.8
+0.8
ns
18
Data-out low-impedance window from
CK/CK
tLZ
-0.7
+0.7
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
-0.8
+0.8
ns
18
Address and control input hold time
(fast slew rate)
tIH
F
0.75
0.90
1.1
ns
14
Address and control input setup time
(fast slew rate)
tIS
F
0.75
0.90
1.1
ns
14
Address and control input hold time
(slow slew rate)
tIH
S
0.80
1
1.1
ns
14
Address and control input setup time
(slow slew rate)
tIS
S
0.80
1
1.1
ns
14
LOAD MODE REGISTER command cycle
time
tMRD
2
tCK
DQ-DQS hold, DQS to first DQ to go non-
valid,
per access
tQH
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
ns
25, 26
Data hold skew factor
tQHS
0.60
0.75
1
ns
ACTIVE to PRECHARGE command
tRAS
42
120,00
0
45
120,00
0
45
120,00
0
50
120,00
0
ns
35
ACTIVE to READ with Auto precharge
command
tRAP
ns
46
ACTIVE to ACTIVE/AUTO REFRESH
command period
tRC
60
65
70
ns
AUTO REFRESH command period
tRFC
72
75
80
ns
50
ACTIVE to READ or WRITE delay
tRCD
18
15
20
ns
PRECHARGE command period
tRP
18
15
20
ns
DQS read preamble
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
42
DQS read postamble
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b com-
mand
tRRD
12
15
ns
DQS write preamble
tWPRE
0.25
tCK
DQS write preamble setup time
tWPRES
0
ns
20, 21
DQS write postamble
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
19
Write recovery time
tWR
15
ns
Internal WRITE to READ command delay
tWTR
1
tCK
Data valid output window
na
tQH - tDQSQ tQH - tDQSQ tQH - tDQSQ tQH - tDQSQ
ns
25
Average periodic refresh interval
tREFI
7.8
us
Terminating voltage delay to VDD
tVTD
0
ns
AC CHARACTERISTICS
-6
-7
-75
-8
PARAMETER
SYM-
BOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN MAX
UNIT
SNOTES
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PDF描述 |
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