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参数资料
| 型号： | W19B320BBBH |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | FLASH 3V PROM, PDSO48 |
| 封装： | TSOP-48 |
| 文件页数： | 19/51页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | W19B320BBBH |
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W19B320BT/B DATASHEET
Publication Release Date:Dec, 22, 2008
- 26 -
Revisionv A5
7.5.2 Device Geometry Definition
DESCRIPTION
ADDRESS
(Word Mode)
DATA
ADDRESS
(Byte Mode)
Device size =2N bytes
27h
0016h
4Eh
Flash device interface description (refer to CFI publication 100)
28h
29h
0002h
0000h
50h
52h
Max. number of bytes in multi-byte write=2N (00h=not supported)
2Ah
2Bh
0000h
54h
56h
Number of Erase Block Regions within devices
2Ch
0002h
58h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100 )
2Dh
2Eh
2Fh
30h
0007h
0000h
0020h
0000h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
Erase Block Region 2 Information
31h
32h
33h
34h
003Eh
0000h
0001h
62h
64h
66h
68h
Erase Block Region 3 Information
35h
36h
37h
38h
0000h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
Erase Block Region 4 Information
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
72h
74h
76h
78h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W19B320STT9F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| W19L320STT9L | 2M X 16 FLASH 3.3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| W19B324MBT9G | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| W19B324MTB9L | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| W19B322MBT9G | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BT-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
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