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参数资料
| 型号： | W19B320BBBH |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | FLASH 3V PROM, PDSO48 |
| 封装： | TSOP-48 |
| 文件页数： | 33/51页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | W19B320BBBH |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页当前第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页
W19B320BT/B DATASHEET
Publication Release Date:Dec, 22, 2008
- 39 -
Revisionv A5
8.10
Erase and Program Operation
70ns
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle Timing (Note 1)
TWC
70
-
ns
Address setup Time
TAS
0
-
ns
Address Setup Timing to
#OE low during toggle bit
polling
TASO
15
-
ns
Address Hold Time
TAH
45
-
ns
Address Hold Time From
#CE or #OE high during
toggle bit polling
TAHT
0
-
ns
Data Setup Time
TDS
35
-
ns
Data Hold Time
TDH
0
-
ns
Output Enable High During toggle bit polling
TOEPH
20
-
ns
Read Recovery Time Before Write (
#OE High to
#WE Low)
TGHWL
0
-
ns
#CE Setup Time
TCS
0
-
ns
#CE HOLD Time
TCH
0
-
ns
Write Pulse Width
TWP
30
-
ns
Write Pulse Width High
TWPH
30
-
ns
Latency Between Read and Write Operation
TSR/W
0
-
ns
Byte
TPB
-
7
150
μs
Programming Time (Note 2)
Word
TPW
-
9
210
μs
Byte
Accelerated Programming Time
(Noe2)
Word
TACCP
4
-
μs
Sector Erase Time (Note 2)
TSE
-
0.4
-
sec
VDD Setup Time (Note 1)
TVCS
50
-
μs
Write Recovery Time from
RY/#BY
TRB
0
-
ns
Program/Erase Valid to
RY/#BY Delay
TBUSY
90
-
ns
Notes:
1.
Not 100 % tested
2.
See the “Alternate #CE Controlled Erase and Program Operations“ section for more information
8.11
Temporary Sector Unprotect
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
VID Rise and Fall Time
TVIDR
500
-
ns
VHH Rise and Fall Time
TVHH
250
-
ns
#RESET Setup Time for Temporary Sector Unprotect
TRSP
4
-
μs
#RESET Hold Time from RY/#BY High for Temporary
Sector Unprotect
TRRB
4
-
μs
Note: Not 100 % tested1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W19B320STT9F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| W19L320STT9L | 2M X 16 FLASH 3.3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| W19B324MBT9G | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| W19B324MTB9L | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| W19B322MBT9G | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BT-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
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