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参数资料
| 型号： | W25Q32BVZEIG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 8 X 6 MM, GREEN, WSON-8 |
| 文件页数： | 60/79页 |
| 文件大小： | 1090K |
| 代理商： | W25Q32BVZEIG |
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W25Q32BV
Publication Release Date: April 01, 2011
- 63 -
Revision F
8.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
8.1 Absolute Maximum Ratings (1)
PARAMETERS
SYMBOL
CONDITIONS
RANGE
UNIT
Supply Voltage
VCC
–0.6 to +4.6
V
Voltage Applied to Any Pin
VIO
Relative to Ground
–0.6 to VCC+0.4
V
Transient Voltage on any Pin
VIOT
<20nS Transient
Relative to Ground
–2.0V to VCC+2.0V
V
Storage Temperature
TSTG
–65 to +150
°C
Lead Temperature
TLEAD
See Note (2)
°C
Electrostatic Discharge Voltage
VESD
Human Body Model(3)
–2000 to +2000
V
Notes:
1. This device has been designed and tested for the specified operation ranges. Proper operation outside
of these levels is not guaranteed. Exposure to absolute maximum ratings may affect device reliability.
Exposure beyond absolute maximum ratings may cause permanent damage.
2. Compliant with JEDEC Standard J-STD-20C for small body Sn-Pb or Pb-free (Green) assembly and the
European directive on restrictions on hazardous substances (RoHS) 2002/95/EU.
3. JEDEC Std JESD22-A114A (C1=100pF, R1=1500 ohms, R2=500 ohms).
8.2 Operating Ranges
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
SPEC
UNIT
MIN
MAX
Supply Voltage(1)
VCC
FR1 = 104MHz
FR2 = 80MHz,
fR = 50MHz
3.0
2.7
3.6
V
Ambient Temperature,
Operating
TA
Industrial
Automotive
-40
+85
+105
°C
Note:
1. VCC voltage during Read can operate across the min and max range but should not exceed ±10% of
the programming (erase/write) voltage.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG7264S202AD4MG | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| WEDF1M32B-70H1I5A | 1M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 70 ns, CPGA66 |
| WE128K32N-125H1M | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CPGA66 |
| W3E32M72S-266SBI | 32M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA208 |
| W3EG6466S202AD4MG | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q32BVZEIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPIG | 功能描述:IC SPI FLASH 32MBIT 8WSON RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W25Q32BVZPIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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