- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录140419 > W25X40BVSNIG (WINBOND ELECTRONICS CORP) 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W25X40BVSNIG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 31/51页 |
| 文件大小： | 1632K |
| 代理商： | W25X40BVSNIG |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页当前第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页
W25X10BV/20BV/40BV
Publication Release Date: July 10, 2009
- 37 -
Preliminary -- Revision A
10. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1)
10.1 Absolute Maximum Ratings (2)
PARAMETERS
SYMBOL
CONDITIONS
RANGE
UNIT
Supply Voltage
VCC
–0.6 to +4.0
V
Voltage Applied to Any Pin
VIO
Relative to Ground
–0.6 to VCC +0.4
V
Transient Voltage on any Pin
VIOT
<20nS Transient
Relative to Ground
–2.0V to VCC+2.0V
V
Storage Temperature
TSTG
–65 to +150
°C
Lead Temperature
TLEAD
See Note (3)
°C
Electrostatic Discharge Voltage
VESD
Human Body Model(4)
–2000 to +2000
V
Notes:
1. Specification for W25X10BV/20BV/40BV are preliminary. See preliminary designation at the end of
this document.
2. This device has been designed and tested for the specified operation ranges. Proper operation
outside of these levels is not guaranteed. Exposure to absolute maximum ratings may affect device
reliability. Exposure beyond absolute maximum ratings may cause permanent damage.
3. Compliant with JEDEC Standard J-STD-20C for small body Sn-Pb or Pb-free (Green) assembly
and the European directive on restrictions on hazardous substances (RoHS) 2002/95/EU.
4. JEDEC Std JESD22-A114A (C1=100 pF, R1=1500 ohms, R2=500 ohms).
10.2 Operating Ranges
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
Supply Voltage(1)
VCC
FR = 80MHz, fR = 50MHz
FR = 104MHz, fR = 50MHz
2.7
3.0
3.6
V
Ambient Temperature,
Operating
TA
Industrial
Commericial
–40
0
+85
+70
°C
Note:
1. VCC voltage during Read can operate across the min and max range but should not exceed ±10%
of the programming (erase/write) voltage.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG72126S202AJD3MF | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| W3EG72126S335AJD3MG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| W3H128M72ER2-667SBM | 128M X 72 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA255 |
| W7NCF01GH10CS6BG | 64M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
| W7NCF01GH10IS7AG | 64M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25X40BVSSIG | 功能描述:IC SPI FLASH 4MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W25X40BVSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 4M-BIT, 4KB UNIFORM 制造商:Winbond 功能描述:SPIFLASH, 4M-BIT, 4KB UNIFORM |
| W25X40BVZPIG | 功能描述:IC SPI FLASH 4MBIT 8WSON RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25X40CLDAIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 104MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 104MHZ 8DIP |
| W25X40CLSNIG | 功能描述:IC FLASH SPI 4MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。