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参数资料
| 型号： | W29GL032CB7A |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA48 |
| 封装： | GREEN, VFBGA-48 |
| 文件页数： | 27/65页 |
| 文件大小： | 650K |
| 代理商： | W29GL032CB7A |
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W29GL032C
Publication Release Date: January 19, 2011
27
Preliminary - Revision B
CFI mode: Device Geometry Data Values
Description
Address
(Word Mode)
Data
Address
(Byte Mode)
Device size = 2
n in number of bytes (16h=32Mb)
27h
0016h
4Eh
Flash device interface description (02=asynchronous
x8/x16)
28h
0002h
50h
29h
0000h
52h
Maximum number of bytes in buffer write = 2
n (00h, not
support)
2Ah
0005h
54h
2Bh
0000h
56h
Number of erase regions within device
H/L = 01h:uniform
T/B = 02h:boot)
2Ch
00xxh
58h
Index for Erase Bank Area 1:
[2E,2D] = # of same-size sectors in region 1-1
[30, 2F] = sector size in multiples of 256K-bytes
T/B = 0007, 0000, 0020, 0000
H/L = 003F, 0000, 0000, 0001
2Dh
00xxh
5Ah
2Eh
0000h
5Ch
2Fh
00xxh
5Eh
30h
00xxh
60h
Index for Erase Bank Area 2
T/B = 003E, 0000, 0000, 0001
H/L = 0000, 0000, 0000, 0000
31h
00xxh
62h
32h
0000h
64h
33h
0000h
66h
34h
00xxh
68h
Index for Erase Bank Area 3
35h
0000h
6Ah
36h
0000h
6Ch
37h
0000h
6Eh
38h
0000h
70h
Index for Erase Bank Area 4
39h
0000h
72h
3Ah
0000h
74h
3Bh
0000h
76h
3Ch
0000h
78h
Table 7-21
CFI Mode: Device Geometry Data Values
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29GL032CB7S | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PDSO48 |
| WV3HG2128M64EEU665D4SG | 256M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, ZMA200 |
| WF128K32-120HSC5A | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHIP66 |
| WF512K32-90G4I5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WPS512K8LB-70GI | 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29GL032CB7ATR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:PF, 32M-BIT, 4KB UNIFORM SECTO |
| W29GL032CB7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL032CB7S | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W29GL032CH7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL032CH7T | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 56TSOP |
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