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参数资料
| 型号： | W29GL032CB7A |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA48 |
| 封装： | GREEN, VFBGA-48 |
| 文件页数： | 55/65页 |
| 文件大小： | 650K |
| 代理商： | W29GL032CB7A |
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W29GL032C
Publication Release Date: January 19, 2011
53
Preliminary - Revision B
8.7
Erase and Programming Performance
PARAMETER
LIMITS
UNITS
MIN
TYP
(1)
MAX
(2)
Chip Erase Time
19.2
64
Sec
Sector Erase Time
.15
1
Sec
Chip Programming Time
12
56
Sec
Word Programming Time
6
28
s
Total Write Buffer Time
96
s
ACC Total Write Buffer Time
77
s
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
Table 8-10
AC Characteristics for Erase and Programming Performance
Notes:
1.
Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, 3.0V VCC. Programming specifications
assume checkboard data pattern.
2.
Maximum values are measured at VCC = 3.0 V, worst case temperature. Maximum values are valid up to and
including 100,000 program/erase cycles.
3.
Erase/Program cycles comply with JEDEC JESD-47E & A117A standard.
4.
Exclude 00h program before erase operation.
8.8
Data Retention
PARAMETER
CONDITION
MIN
MAX
UNIT
Data Retention
55°C
20
Years
Table 8-11
Data Retention
8.9
Latch-up Characteristics
PARAMETER
MIN
MAX
Input Voltage different with GND on #WP/ACC and A9 pins
-1.0V
10.5V
Input Voltage difference with GND on all normal input pins
-1.0V
1.5xVCC
VCC Current
-100mA
+100mA
All pins included except VCC. Test condition is VCC=3.0V, one pin per test.
Table 8-12
Latch-up Characteristics
8.10 Pin Capacitance
DESCRIPTION
PARAMETER
TEST SET
TYP.
MAX
UNIT
Control Pin Capacitance
CIN2
VIN=0
7.5
9
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT=0
8.5
12
pF
Input Capacitance
CIN
VIN=0
6
7.5
pF
Table 8-13
Pin Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29GL032CB7S | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PDSO48 |
| WV3HG2128M64EEU665D4SG | 256M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, ZMA200 |
| WF128K32-120HSC5A | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHIP66 |
| WF512K32-90G4I5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WPS512K8LB-70GI | 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29GL032CB7ATR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:PF, 32M-BIT, 4KB UNIFORM SECTO |
| W29GL032CB7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL032CB7S | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W29GL032CH7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL032CH7T | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 56TSOP |
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