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参数资料
| 型号： | W29GL032CT7B |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA64 |
| 封装： | 11 X 13 MM, GREEN, FBGA-64 |
| 文件页数： | 27/65页 |
| 文件大小： | 650K |
| 代理商： | W29GL032CT7B |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页当前第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页
W29GL032C
Publication Release Date: January 19, 2011
27
Preliminary - Revision B
CFI mode: Device Geometry Data Values
Description
Address
(Word Mode)
Data
Address
(Byte Mode)
Device size = 2
n in number of bytes (16h=32Mb)
27h
0016h
4Eh
Flash device interface description (02=asynchronous
x8/x16)
28h
0002h
50h
29h
0000h
52h
Maximum number of bytes in buffer write = 2
n (00h, not
support)
2Ah
0005h
54h
2Bh
0000h
56h
Number of erase regions within device
H/L = 01h:uniform
T/B = 02h:boot)
2Ch
00xxh
58h
Index for Erase Bank Area 1:
[2E,2D] = # of same-size sectors in region 1-1
[30, 2F] = sector size in multiples of 256K-bytes
T/B = 0007, 0000, 0020, 0000
H/L = 003F, 0000, 0000, 0001
2Dh
00xxh
5Ah
2Eh
0000h
5Ch
2Fh
00xxh
5Eh
30h
00xxh
60h
Index for Erase Bank Area 2
T/B = 003E, 0000, 0000, 0001
H/L = 0000, 0000, 0000, 0000
31h
00xxh
62h
32h
0000h
64h
33h
0000h
66h
34h
00xxh
68h
Index for Erase Bank Area 3
35h
0000h
6Ah
36h
0000h
6Ch
37h
0000h
6Eh
38h
0000h
70h
Index for Erase Bank Area 4
39h
0000h
72h
3Ah
0000h
74h
3Bh
0000h
76h
3Ch
0000h
78h
Table 7-21
CFI Mode: Device Geometry Data Values
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29GL064CL9B | 64M X 1 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| W29GL064CH9T | 64M X 1 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| W29L040T-25B | 512K X 8 FLASH 3.3V PROM, 250 ns, PDSO32 |
| W29L040-20B | 512K X 8 FLASH 3.3V PROM, 200 ns, PDIP32 |
| W3013BCL-TR | TELECOM, CELLULAR, RF AND BASEBAND CIRCUIT, PDSO20 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29GL032CT7S | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W29GL064C | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:64M-BIT 3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH PAGE MODE |
| W29GL064CB7A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| W29GL064CB7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL064CB7S | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
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