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参数资料
| 型号： | W29GL032CT7B |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA64 |
| 封装： | 11 X 13 MM, GREEN, FBGA-64 |
| 文件页数： | 53/65页 |
| 文件大小： | 650K |
| 代理商： | W29GL032CT7B |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页当前第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页
W29GL032C
Publication Release Date: January 19, 2011
51
Preliminary - Revision B
8.5.6
DEEP POWER DOWN MODE
Description
SYMBOL
TYP.
MAX
#WE High to release from Deep Power Down Mode
tRDP
100s
200s
#WE High to Deep Power Down Mode
tDP
10s
20s
Table 8-8
AC Characteristics for Deep Power Down
Figure 8-25
Deep Power Down mode Waveform
8.5.7
WRITE BUFFER PROGRAM
Figure 8-26
Write Buffer Program Flowchart
tDP
tRDP
XXh (Don’t Care)
XXh
55h
2AAh
AAh
55h
B9h
Standby mode
Deep Power Down mode
Standby mode
#CE
#WE
Address
Data
Write CMD: DATA=AAh, ADD=555h
Write CMD: DATA=55h, ADD=2AAh
Write CMD: DATA=25h, ADD=SA
Write CMD: DATA=PWC, ADD=SA
Write CMD: DATA=PGM DATA,
ADD=PGM ADD
Want to Abort?
PWC=0?
Write CMD: DATA=29h, ADD=SA
Polling Status
Write Reset CMD
to return to Read mode
Write Abort Reset CMD
to return to Read mode
Write a different Sector Address
to cause Abort
Return to Read mode
PASS?
FAIL?
Write Buffer Abort?
PWC=PWC-1
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
SA
= Sector Address of the Page to be Programmed
PWC
= Program Word Count
NO
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| W29L040T-25B | 512K X 8 FLASH 3.3V PROM, 250 ns, PDSO32 |
| W29L040-20B | 512K X 8 FLASH 3.3V PROM, 200 ns, PDIP32 |
| W3013BCL-TR | TELECOM, CELLULAR, RF AND BASEBAND CIRCUIT, PDSO20 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W29GL064CB7S | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
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