参数资料
| 型号： | W948D6FBHX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 26/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 60VFBGA |
| 标准包装： | 312 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 60-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 60-VFBGA（8x9） |
| 包装： | 托盘 |
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W948D6FB / W948D2FB
256Mb Mobile LPDDR
7.3.2 Mode Register Set Command Timing
CK
CK
Command
MRS
NOP
Valid
t MRD
Address
Code
Valid
: Don't Care
NOTE:Code=Mode Register / Extended Mode Register selection
(BA0,BA1)and op-code (A0-An)
7.4. Active
Before any READ or WRITE commands can be issued to a bank in the LPDDR SDRAM, a row in that bank must be
opened. This is accomplished by the ACTIVE command: BA0 and BA1 select the bank, and the address inputs
select the row to be activated. More than one bank can be active at any time.
Once a row is open, a READ or WRITE command could be issued to that row, subject to the t RCD specification.
A subsequent ACTIVE command to another row in the same bank can only be issued after the previous row has
been closed. The minimum time interval between two successive ACTIVE commands on the same bank is defined
by t RC .
7.4.1 Active Command
CK
CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-An
BA0,BA1
(High)
RA
BA
= Don't Care
BA=BANK Address, RA=Row
Address
Publication Release Date : Oct, 15, 2012
- 26 -
Revision : A01-004
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| W948D6FBHX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY |
| W948D6FBHX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M MDDR, X16, 166MHZ, 65NM |
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