参数资料
| 型号： | W948D6FBHX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 30/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 60VFBGA |
| 标准包装： | 312 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 60-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 60-VFBGA（8x9） |
| 包装： | 托盘 |
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W948D6FB / W948D2FB
256Mb Mobile LPDDR
7.5.5 Consecutive Read Bursts
CK
CK
Command
READ
NOP
READ
NOP
NOP
NOP
Address
BA,Coln
BA,Colb
CL=2
DQS
DQ
DO n
DO b
CL=3
DQS
DQ
1) DO n (or b)=Data Out from column n (or column b)
DO n
DO b
= Don't Care
2) Burst Length=4,8 or 16 (if 4, the bursts are concatenated; if 8 or 16, the second burst interrupts the first)
3) Read bursts are to an active row in the bank
4) Shown with nominal tAC, tDQSCK and tDQSQ
7.5.6 Non-Consecutive Read Bursts
A READ command can be initiated on any clock cycle following a previous READ command. Non-consecutive
Reads are shown in following figure.
CK
CK
Command
READ
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
Address
BA,Col n
BA,Col b
CL=2
DQS
DQ
DO n
DO b
CL=3
DQS
DQ
1) DO n (or b) =Data Out from column n (or column b)
DO n
= Don't Care
2) BA,Col n (or b) =Bank A,Column n (or column b)
3) Burst Length=4; 3 subsequent elements of Data Out appear in the programmed order following DO n (or b)
4) Shown with nominal tAC, tDQSCK and tDQSQ
Publication Release Date : Oct, 15, 2012
- 30 -
Revision : A01-004
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