参数资料
| 型号： | W948D6FBHX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 36/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 60VFBGA |
| 标准包装： | 312 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 60-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 60-VFBGA（8x9） |
| 包装： | 托盘 |
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W948D6FB / W948D2FB
256Mb Mobile LPDDR
7.6.5 Concatenated Write Bursts
An example of concatenated write bursts is shown in figure below.
CK
CK
Command
WRITE
NOP
WRITE
NOP
NOP
NOP
Address
BA,Col b
BA,Col n
t DQSSmin
DQS
DQ
DI b
DI n
DM
t DQSSmax
DQS
DQ
DM
DI b
DI n
1) DI b (n)= Data in to column b (column n)
2)3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following DI b.
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following DI n.
3) Non-interrupted bursts of 4 are shown.
4) Each WRITE command may be to any active bank
7.6.6 Non-Consecutive Write Bursts
An example of non-consecutive write bursts is shown in figure below.
CK
CK
= Don't Care
Command
WRITE
NOP
NOP
WRITE
NOP
NOP
Address
BA,Col b
BA,Col n
BA,Col n
t DQSSmax
DQS
DQ
DM
1) Dl b (n)= Data in to column b (or column n)
= Don't Care
2) 3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following DI b.
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following DI n.
3) Non-interrupted bursts of 4 are shown.
4) Each WRITE command may be to any active bank and may be to the same or different devices.
Publication Release Date : Oct, 15, 2012
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Revision : A01-004
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PDF描述 |
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参数描述 |
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