参数资料
| 型号： | W948D6FBHX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 46/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 60VFBGA |
| 标准包装： | 312 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 60-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 60-VFBGA（8x9） |
| 包装： | 托盘 |
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W948D6FB / W948D2FB
256Mb Mobile LPDDR
8. ELECTRICAL CHARACTERISTIC
8.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
Voltage on VDD relative to VSS
Voltage on VDDQ relative to VSS
Voltage on any pin relative to VSS
Operating Case temperature
Storage Temperature
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
SYMBOL
VDD
VDDQ
VIN, VOUT
Tc
TSTG
IOUT
PD
MIN
? 0.3
? 0.3
? 0.3
-25
-40
? 55
VALUES
MAX
2.7
2.7
2.7
85
85
150
±50
1.0
UNITS
V
V
V
°C
°C
mA
W
8.2 Input/Output Capacitance
PARAMETER
SYMBOL MIN
MAX
UNITS
NOTES
Input capacitance, CK, CK
Input capacitance delta, CK, CK
Input capacitance, all other input-only pins
Input capacitance delta, all other input-only pins
CCK
CDCK
CI
CDI
1.5
1.5
3.0
0.25
3.0
0.5
pF
pF
pF
pF
Input/ output capacitance, DQ,DM,DQS
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS
CIO
CDIO
3.0
5.0
0.50
pF
pF
4
4
Notes:
1.
2.
3.
These values are guaranteed by design and are tested on a sample base only.
These capacitance values are for single monolithic devices only. Multiple die packages will have parallel capacitive loads.
Although DM is an input-only pin, the input capacitance of this pin must model the input capacitance of the DQ and DQS pins. This is
required to match signal propagation times of DQ, DQS and DM in the system.
Publication Release Date : Oct, 15, 2012
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Revision : A01-004
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参数描述 |
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| W948D6FBHX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M MDDR, X16, 166MHZ, 65NM |
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