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参数资料
| 型号： | W9751G6IB-25 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 34/86页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA |
| 标准包装： | 210 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
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W9751G6IB
Function Truth Table, continued
CURRENT
STATE
Read with
Auto-
precharge
Write with
Auto-
precharge
Precharge
Row
Activating
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
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RAS
X
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X
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X
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X
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CAS
X
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X
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X
H
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L
H
H
L
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X
H
L
L
H
H
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L
WE
X
H
H
L
H
L
H
L
X
H
H
L
H
L
H
L
X
H
H
L
H
L
H
L
X
H
H
L
H
L
H
L
ADDRESS
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
COMMAND
DSL
NOP
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
ACTION
Continue burst to end
Continue burst to end
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end
Continue burst to end
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
NOP-> Idle after t RP
NOP-> Idle after t RP
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
NOP-> Idle after t RP
ILLEGAL
ILLEGAL
NOP-> Row active after t RCD
NOP-> Row active after t RCD
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
NOTES
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Publication Release Date: Oct. 23, 2009
- 34 -
Revision A06
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PDF描述 |
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