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参数资料
| 型号： | W9816G6IH-5 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO50 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-50 |
| 文件页数： | 13/42页 |
| 文件大小： | 715K |
| 代理商： | W9816G6IH-5 |
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W9816G6IH
Publication Release Date: Mar. 22, 2010
- 20 -
Revision A02
10.4 Mode Register Set Cycle
A0
A3
A0
Addressing Mode
A0
0
A0
Sequential
A0
1
A0
Interleave
A0
A9
Single Write Mode
A0
0
A0
Burst read and Burst write
A0
1
A0
Burst read and single write
A0
A2
A1
A0
0
A0
0
1
A0
0
1
0
A0
0
1
A0
1
0
A0
1
0
1
A0
1
0
A0
1
A0
Burst Length
A0
Sequential
A0
Interleave
1
A0
1
A0
2
A0
2
A0
4
A0
4
A0
8
A0
8
A0
Reserved
A0
Reserved
A0
Full Page
A0
CAS Latency
A0
Reserved
A0
Reserved
2
A0
3
Reserved
A0
A6
A5
A4
A0
0
A0
0
1
0
A0
0
1
A0
1
0
A0
0
1
tRSC
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tAS
tAH
CLK
CS
RAS
CAS
WE
A0-A10
BA
Register
set data
next
command
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Burst Length
Addressing Mode
CAS Latency
(Test Mode)
A8
Reserved
A0
A7
A0
A9
A0
Write Mode
A10
A0
BA
"0"
Reserved
"0"
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PDF描述 |
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