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参数资料
| 型号： | W9816G6IH-5 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO50 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-50 |
| 文件页数： | 8/42页 |
| 文件大小： | 715K |
| 代理商： | W9816G6IH-5 |
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W9816G6IH
Publication Release Date: Mar. 22, 2010
- 16 -
Revision A02
Notes:
1. Operation exceeds " Absolute Maximum Ratings " may cause permanent damage to the devices.
2. All voltages are referenced to VSS.
2.7V~3.6V power supply for -7/-7I speed grade.
3.3V
± 0.3V power supply for -5/-6/-6I/-6A speed grades.
3. These parameters depend on the cycle rate and listed values are measured at a cycle rate with the
minimum values of tCK and tRC.
4. These parameters depend on the output loading conditions. Specified values are obtained with
output open.
5. Power up sequence please refer to "Functional Description" section described before.
6. AC Test Load diagram.
50 ohms
1.4 V
AC TEST LOAD
Z = 50 ohms
output
30pF
7. tHZ defines the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced
to output level.
8. Assumed input rise and fall time (tT ) = 1nS.
If tr & tf is longer than 1nS, transient time compensation should be considered,
i.e., [(tr + tf)/2-1]nS should be added to the parameter
( The
tT maximum can’t be more than 10nS for low frequency application. )
9. If clock rising time (tT) is longer than 1nS, (tT /2-0.5)nS should be added to the parameter.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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