参数资料
| 型号： | W9816G6IH-6 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 14/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 16MBIT 50TSOPII |
| 标准包装： | 117 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SDRAM |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 50-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9816G6IH
9.4
DC Characteristics
(V CC = 3.3V ± 0.3V for -5/-6/-6I/-6A, V CC = 2.7V to 3.6V for -7/-7I, T A = 0 t o 70 ° C for -5/-6/-7, T A = -40 to 85 ° C for -6I/-6A/-7I)
PARAMETER
SYM.
-5
MAX.
-6/-6I/-6A
-7/-7I
UNIT
NOTES
Operating Current
t CK = min., t RC = min.
Active precharge command
1 Bank Operation
I CC1
80
60
50
3
cycling without burst operation
Standby Current
t CK = min., CS = V IH
V IH /L = V IH (min.) / V IL (max.)
Bank: inactive state
Standby Current
CLK = V IL , CS = V IH
V IH/L = V IH (min.) / V IL (max.)
Bank: inactive state
No Operating Current
t CK = min., CS = V IH (min.)
Bank: active state (2 Banks)
CKE = V IH
CKE = V IL
(Power Down mode)
CKE = V IH
CKE = V IL
(Power Down mode)
CKE = V IH
CKE = V IL
(Power Down mode)
I CC2
I CC2P
I CC2S
I CC2PS
I CC3
I CC3P
30
2
10
2
45
10
30
2
10
2
40
10
25
2
10
2
35
10
mA
3
3
Burst Operating Current
(t CK = min.)
I CC4
120
110
100
3, 4
Read/ Write command cycling
Auto Refresh Current
(t CK = min.)
I CC5
60
55
50
3
Auto refresh command cycling
Self Refresh Current
(CKE = 0.2V)
I CC6
2
2
2
mA
Self refresh mode
PARAMETER
Input Leakage Current
(0V ≤ V IN ≤ V CC , all other pins not under test = 0V)
Output Leakage Current
(Output disable , 0V ≤ V OUT ≤ V CCQ )
LVTTL Output ″ H ″ Level Voltage
(I OUT = -2 mA)
LVTTL Output ″ L ″ Level Voltage
(I OUT = 2 mA)
SYM.
I I(L)
I O(L)
V OH
V OL
MIN.
-5
-5
2.4
-
MAX.
5
5
-
0.4
UNIT
μA
μA
V
V
NOTES
Publication Release Date: Mar. 22, 2010
- 14 -
Revision A02
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PDF描述 |
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