参数资料
| 型号： | W9816G6IH-6 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 35/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 16MBIT 50TSOPII |
| 标准包装： | 117 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SDRAM |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 50-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9816G6IH
11.15 Auto-precharge Timing (Read Cycle)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
(1) CAS Latency=2
( a ) burst length = 1
Command
Read
AP
t RP
Act
DQ
( b ) burst length = 2
Q0
Command
DQ
Read
AP
Q0
t RP
Q1
Act
( c ) burst length = 4
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
( d ) burst length = 8
Command
Read
AP
t RP
Act
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS Latency=3
( a ) burst length = 1
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
Q0
( b ) burst length = 2
Command
DQ
( c ) burst length = 4
Command
Read
Read
AP
Q0
t RP
Q1
AP
Act
Act
t RP
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
( d ) burst length = 8
Command
Read
AP
t RP
Act
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Note:
Read
AP
Act
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate command to
the start of internal precgarging must be at least t RAS (min).
Publication Release Date: Mar. 22, 2010
- 35 -
Revision A02
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