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参数资料
| 型号： | W9864G6JH-7 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSSOP2-54 |
| 文件页数： | 20/43页 |
| 文件大小： | 662K |
| 代理商： | W9864G6JH-7 |
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W9864G6JH
Publication Release Date: Aug. 31, 2010
- 27 -
Revision A02
11.6
Interleaved Bank Write (Burst Length = 8, Auto-precharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
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23
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tRRD
RAa
CAx
RBb
CBy
RAb
RAc
ax0
ax1
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by2
by3
by4
by5
by6
by7
CZ0
CZ1
CZ2
CAz
* AP is the internal precharge start timing
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
Active
Write
Active
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
Active
Write
AP*
BS0
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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