参数资料
| 型号： | XC3S1200E-5FGG400C |
| 厂商： | Xilinx Inc |
| 文件页数： | 165/227页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA SPARTAN-3E 1200K 400FBGA |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | Spartan®-3E |
| LAB/CLB数： | 2168 |
| 逻辑元件/单元数： | 19512 |
| RAM 位总计： | 516096 |
| 输入/输出数： | 304 |
| 门数： | 1200000 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-BGA |
| 供应商设备封装： | 400-FBGA（21x21） |
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Spartan-3E FPGA Family: Functional Description
DS312 (v4.1) July 19, 2013
Product Specification
42
Setting the WRITE_MODE attribute to a value of
NO_CHANGE, puts the DO outputs in a latched state when
asserting WE. Under this condition, the DO outputs retain
the data driven just before WE is asserted. NO_CHANGE
timing is shown in the portion of Figure 35 during which WE
is High.
X-Ref Target - Figure 34
Figure 34: Waveforms of Block RAM Data Operations with READ_FIRST Selected
X-Ref Target - Figure 35
Figure 35: Waveforms of Block RAM Data Operations with NO_CHANGE Selected
CLK
WE
DI
ADDR
DO
EN
DISABLED
READ
XXXX
1111
2222
XXXX
aa
bb
cc
dd
0000
MEM(aa)
old MEM(bb)
old MEM(cc)
MEM(dd)
READ
WRITE
MEM(bb)=1111
WRITE
MEM(cc)=2222
DS312-2_06_020905
Data_in
Internal
Memory
DO
Prior stored data
DI
CLK
WE
DI
ADDR
DO
EN
DISABLED
READ
XXXX
1111
2222
XXXX
aa
bb
cc
dd
0000
MEM(aa)
MEM(dd)
READ
WRITE
MEM(bb)=1111
WRITE
MEM(cc)=2222
DS312-2_07_020905
Data_in
Internal
Memory
DO
No change during write
DI
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