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参数资料
| 型号： | ZVN3310FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN3310F
Package Outline Dimensions
E
e
b
3 leads
e1
L1
E1
A
D
A1
L
c
Dim.
Millimeters
Inches
Dim.
Millimeters
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
A
-
1.12
-
0.044
e1
1.90 NOM
0.075 NOM
A1
b
c
D
0.01
0.30
0.085
2.80
0.10
0.50
0.20
3.04
0.0004
0.012
0.003
0.110
0.004
0.020
0.008
0.120
E
E1
L
L1
2.10
1.20
0.25
0.45
2.64
1.40
0.60
0.62
0.083
0.047
0.0098
0.018
0.104
0.055
0.0236
0.024
e
0.95 NOM
0.037 NOM
-
-
-
-
-
Note:
Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches
Suggested Pad Layout
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
mm
inches
ZVN3310F
Document Number DS31980 Rev. 4 - 2
4 of 5
www.diodes.com
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN3320FTC | MOSFET N-CHAN 200V SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZVN3320ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3320B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-39 |
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