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参数资料
| 型号： | ZXGD3105N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNCH MOSFET CNTLR SO8 |
| 特色产品： | Synchronous MOSFET Controller |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 电压 |
| 延迟时间： | 70ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXGD3105N8TCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXGD3105N8
Thermal Derating Curve
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
Minimum
Layout
15mm x 15mm
10mm x 10mm
5mm x 5mm
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Junction Temperature (°C)
Derating Curve
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
V CC = 10V; R BIAS = 18k ? (I BIAS = 0.54mA); R REF = 9.1k ? (I REF = 1.02mA)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Input Supply
Quiescent current
I Q
—
1.56
—
mA
V DRAIN ≥ 0mV
Gate Driver
Gate peak source current
Gate peak sink current
I SOURCE
I SINK
—
—
1.2
5
—
—
A
Capacitive load: C L = 10nF
Detector under DC condition
Turn-off Threshold Voltage
V T
-20
-10
0
mV
V G = 1V
Gate output voltage
V G(off)
V G
—
5.0
8.0
0.2
7.8
9.4
0.6
—
—
V
V DRAIN ≥ 1V
V DRAIN = -50mV
V DRAIN = -100mV
Capacitive load only
Switching Performance
Turn-on propagation delay
Gate rise time
Turn-off propagation delay
Gate fall time
t d(rise)
t r
t d(fall)
t f
—
—
—
—
118
77
14
26
—
—
—
—
ns
Capacitive load: C L = 10nF
Rise and fall measured 10% to 90%
ZXGD3105N8
Document Number DS35101 Rev. 3 - 2
4 of 14
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
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