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参数资料
| 型号： | ZXGD3105N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNCH MOSFET CNTLR SO8 |
| 特色产品： | Synchronous MOSFET Controller |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 电压 |
| 延迟时间： | 70ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXGD3105N8TCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXGD3105N8
Typical Electrical Characteristics (cont.) (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
10
10
8
V G
8
6
4
2
V D
V CC =10V
R BIAS =18k ?
R REF =9.1k ?
C L =10nF
R L =0R1
6
4
2
V D
V G
V CC =10V
R BIAS =18k ?
R REF =9.1k ?
C L =10nF
R L =0R1
0
0
-2
-100
0
100
200
300
-2
-200
-100
0
100
200
300
Time (ns)
Switch On Speed
4
Time (ns)
Switch Off Speed
100
T on = t d1 + t r
2
0
-2
V CC =10V
I source
10
1
T off = t d2 + t f
10
Capacitance (nF)
V CC =10V
R BIAS =18k ?
R REF =9.1k ?
R L =0R1
100
-4
-6
-8
R BIAS =18k ?
R REF =9.1k ?
C L =10nF
R L =0R1
0
200 400
Time (ns)
I sink
600
8
Switching vs Capacitive Load
Gate Drive Current
6
4
2
V CC =10V
R BIAS =18k ?
R REF =9.1k ?
R L =0R1
-I sink
I source
100
10
V CC =10V
R BIAS =18k ?
R REF =9.1k ?
R L =0R1
C L =100nF
C L =33nF
C L =10nF
C L =3.3nF
C L =1nF
0
1
10
100
1
10
100
1000
10000
100000
Capacitance (nF)
Gate Current vs Capacitive Load
Frequency (Hz)
Supply Current vs Frequency
ZXGD3105N8
Document Number DS35101 Rev. 3 - 2
6 of 14
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
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